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- 編號：76939943
- 頻率：20MHz
- 尺寸：5.0×3.2mm
T52-N17-C-3.3-LG-20.0MHz-E,低相噪晶振,6G基站晶振
Greenray晶振,T52石英晶體振蕩器,進口有源晶振,T52-N17-C-3.3-LG-20.0MHz-E晶振,頻率20MHz,5032mm晶振,電壓3.3V,工作溫度-20~70°C,低相位噪聲晶振,低功耗晶振,6G基站晶振,高沖擊電子設備晶振,移動無線電晶振,移動儀器...
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T52-N17-C-3.3-LG-20.0MHz-E,低相噪晶振,6G基站晶振,Greenray晶振,T52石英晶體振蕩器,進口有源晶振,T52-N17-C-3.3-LG-20.0MHz-E晶振,頻率20MHz,5032mm晶振,電壓3.3V,工作溫度-20~70°C,低相位噪聲晶振,低功耗晶振,6G基站晶振,高沖擊電子設備晶振,移動無線電晶振,移動儀器儀表晶振.
T52-N17-C-3.3-LG-20.0MHz-E,低相噪晶振,6G基站晶振特點：
•小巧堅固的5.0 x 3.2毫米封裝
•承受振動和高達30，000 g的高沖擊
•在20°C至+70°C溫度范圍內具有0.1 ppm的嚴格溫度穩定性
•卓越的長期老化性能，10年內< 5 ppm
•低加速靈敏度< 0.7 ppb/g
•低功耗，低至2mA，實現可靠的電池供電性能增益
•低相位噪聲
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T52-N17-C-3.3-LG-20.0MHz-E,低相噪晶振,6G基站晶振參數表
| 規格參數 | 數值 | 條件 |
| 頻率 | 20MHz | +25°C |
| 頻率穩定度 | ±0.1ppm | -20°C to +70°C |
| 工作溫度 | -20°C to +70°C | |
| 老化 | ± 3ppm max | 1st year |
| 加速度靈敏度 | 0.7ppb/g | |
| 電子頻率控制 | ± 8ppm | EFC = 0 to VDD Positive slope |
| 電壓 | 3.3V(VDD） | |
| 輸入電流 | 6mA | CMOS |
| 負載 | 15pF | |
| 儲存溫度 | -40°C to +85°C |
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T52-N17-C-3.3-LG-20.0MHz-E,低相噪晶振,6G基站晶振 尺寸圖
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